PBSS4160XX دیتاشیت

PBSS4160XF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS4160XF
حجم فایل 53.11 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PBSS4160XF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS4160XX
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 1.35W
  • Transition Frequency (fT): 180MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 170@500mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه